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消息稱 SK 海力士測試東京電子低溫蝕刻設備,有望簡化閃存生產

SK 海力士在測試東京電子的低溫蝕刻設備,以提高 3D NAND 閃存顆粒的堆疊層數,以增加存儲容量。新設備能在更短的時間內完成蝕刻,並且使用更環保的氟化氫氣體。如果測試成功,將有助於未來生產超過 400 層的 NAND 閃存,並可能將堆棧數量減少到 2 層或 1 層。競爭對手三星電子也在評估這一設備。

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