三星半導體宣佈第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產，位密度提高 50%，采用通道孔蝕刻技術提升生產效率。新品具有更高單元層數，數據傳輸速度提升 33%，功耗降低 10%。三星計劃在今年下半年開始量產四層單元（QLC）的第九代 V-NAND，並有望在未來推出堆疊層數達 430 層的第十代 V-NAND 產品。
