三星和美光兩傢公司正在積極籌備擴張 HBM DRAM，以應對消費級存儲市場低迷的現狀。三星已經開發出速度為 9.8Gbps 的 HBM3E，並計劃向客戶提供樣品。三星正在開發 HBM4，並積極開發各種技術，包括針對高溫熱特性和混合鍵合的優化的非導電膠膜組裝技術等。美光也在積極籌備 HBM 生產，於 11 月 6 日在臺中開設瞭新工廠，以滿足人工智能、數據中心、邊緣計算和雲服務等各種應用日益增長的需求。美光首席執行官 Sanjay Mehrotra 透露，該公司計劃在 2024 年初開始大量出貨 HBM3E。